Характеристики
Id - непрерывный ток утечки:
76 A
Pd - рассеивание мощности:
125 W
Qg - заряд затвора:
73 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
8.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
75 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
3.7 V
Вид монтажа:
Through Hole
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Коммерческое обозначение:
StrongIRFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
154 S
Максимальная рабочая температура:
+ 175 C
Минимальная рабочая температура:
55 C
Полярность транзистора:
N-Channel
Размер фабричной упаковки:
1000
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
51 ns
Типичное время задержки при включении:
11 ns
Торговая марка:
Infineon / IR
Упаковка / блок:
TO-220-3
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 75V Single N-Channel HEXFET
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.