Id - непрерывный ток утечки
76 A
Pd - рассеивание мощности
125 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
8.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
75 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.7 V
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
StrongIRFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
154 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
1000
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
51 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
Infineon / IR
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 75V Single N-Channel HEXFET