Id - непрерывный ток утечки
8 A
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Pd - рассеивание мощности
125 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
Transistor Configuration
Одинарный
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Канальный режим
Enhancement
Категория
Мощный МОП-транзистор
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Количество элементов на ИС
1
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4.9 S
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток
850 mΩ
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Минимальная рабочая температура
-55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
1000
Размеры
10.41 x 9.65 x 4.83мм
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичная входная емкость при Vds
1300 pF @ 25 V
Типичное время задержки включения
14 ns
Типичное время задержки выключения
49 нс
Типичное время задержки при включении
14 ns
Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V
Торговая марка
Vishay / Siliconix
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor