Характеристики
Id - непрерывный ток утечки:
8 A
Minimum Gate Threshold Voltage:
2V
Pd - рассеивание мощности:
125 W
Qg - заряд затвора:
63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
850 mOhms
Transistor Configuration:
Одинарный
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток:
2 V
Канальный режим:
Enhancement
Категория:
Мощный МОП-транзистор
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Количество элементов на ИС:
1
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
4.9 S
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток:
500 В
Максимальное рассеяние мощности:
3,1 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток:
850 mΩ
Максимальный непрерывный ток стока:
8 A
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Полярность транзистора:
N-Channel
Размер фабричной упаковки:
1000
Размеры:
10.41 x 9.65 x 4.83мм
Тип корпуса:
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичная входная емкость при Vds:
1300 pF @ 25 V
Типичное время задержки включения:
14 ns
Типичное время задержки выключения:
49 нс
Типичное время задержки при включении:
14 ns
Типичный заряд затвора при Vgs:
63 nC @ 10 V
Торговая марка:
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок:
TO-263-3
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.