Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB

Модель:
IRF840LCPBF
Артикул:
8003697349
Наличие:
1000
Производитель:
Vishay
290 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Brand
Vishay
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Height
9.01mm
Length
10.41mm
Maximum Continuous Drain Current
8 А
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Operating Temperature
-55 C
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Transistor Material
Кремний
Transistor Mounting
Through Hole
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Вес, г
2
Высота
9.01мм
Длина
10.41мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Максимальное сопротивление сток-исток
850 mΩ
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Непрерывный Ток Стока
Номер канала
Поднятие
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Производитель
Vishay
Размер фабричной упаковки
50
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Рассеиваемая мощность
125Вт
Серия
IRF
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.85Ом
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Технология
Si
Тип канала
N
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип продукта
MOSFET
Типичная входная емкость при Vds
1100 pF @ 25 V
Типичное время задержки включения
12 нс
Типичное время задержки выключения
27 нс
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка
Tube
Число контактов
3
Ширина
4.7
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
От 1 дня
Овердрафт
Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.
Гарантия
Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*
Подбор аналогов
Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности