Maximum Continuous Drain Current
8 А
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Operating Temperature
-55 C
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Transistor Material
Кремний
Transistor Mounting
Through Hole
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Категория
Мощный МОП-транзистор
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Максимальное сопротивление сток-исток
850 mΩ
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 C
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
500В
Полярность транзистора
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Размер фабричной упаковки
50
Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.85Ом
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Типичная входная емкость при Vds
1100 pF @ 25 V
Типичное время задержки включения
12 нс
Типичное время задержки выключения
27 нс
Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
Торговая марка
Vishay / Siliconix