:Maximum Continuous Drain Current
8 А
:Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
:Maximum Drain Source Voltage
500 V
:Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
:Maximum Power Dissipation
125 W
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
:Transistor Configuration
Одинарный
:Transistor Material
Кремний
:Transistor Mounting
Through Hole
:Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество Выводов
3вывод(-ов)
:Количество элементов на ИС
1
:Конфигурация транзистора
Одинарный
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
:Максимальное напряжение сток-исток
500 V
:Максимальное рассеяние мощности
125 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
850 mΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
8 A
:Материал транзистора
Кремний
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Напряжение Измерения Rds(on)
10В
:Напряжение Истока-стока Vds
500В
:Непрерывный Ток Стока
8А
:Полярность транзистора
N Канал
:Пороговое Напряжение Vgs
4В
:Размер фабричной упаковки
50
:Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
:Рассеиваемая мощность
125Вт
:Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.85Ом
:Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичная входная емкость при Vds
1100 pF @ 25 V
:Типичное время задержки включения
12 нс
:Типичное время задержки выключения
27 нс
:Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
:Торговая марка
Vishay / Siliconix