Maximum Continuous Drain Current:
8 А
Maximum Drain Source Resistance:
850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage:
500 V
Maximum Gate Source Voltage:
-30 V, +30 V
Maximum Power Dissipation:
125 W
Minimum Gate Threshold Voltage:
2V
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Mounting Type:
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration:
Одинарный
Transistor Material:
Кремний
Transistor Mounting:
Through Hole
Typical Gate Charge @ Vgs:
39 nC @ 10 V
Категория:
Мощный МОП-транзистор
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Количество элементов на ИС:
1
Конфигурация транзистора:
Одинарный
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток:
500 V
Максимальное рассеяние мощности:
125 W
Максимальное сопротивление сток-исток:
850 mΩ
Максимальный непрерывный ток стока:
8 A
Материал транзистора:
Кремний
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
500В
Непрерывный Ток Стока:
8А
Полярность транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Размер фабричной упаковки:
50
Размеры:
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Рассеиваемая мощность:
125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.85Ом
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220AB
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Типичная входная емкость при Vds:
1100 pF @ 25 V
Типичное время задержки включения:
12 нс
Типичное время задержки выключения:
27 нс
Типичный заряд затвора при Vgs:
39 нКл при 10 В
Торговая марка:
Vishay / Siliconix