:Channel Mode
Enhancement
:Id - непрерывный ток утечки
8 A
:Maximum Continuous Drain Current (A)
8
:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
850@10V
:Maximum Drain Source Voltage (V)
500
:Maximum Gate Source Voltage (V)
20
:Maximum Operating Temperature (C)
150
:Maximum Power Dissipation (mW)
125000
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Number of Elements per Chip
1
:Package Height
9.01(Max)
:Package Length
10.51(Max)
:Pd - рассеивание мощности
125 W
:Product Category
Power MOSFET
:Qg - заряд затвора
63 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
:Standard Package Name
TO-220
:Supplier Package
TO-220AB
:Typical Fall Time (ns)
20
:Typical Gate Charge @ 10V (nC)
63(Max)
:Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
63(Max)@10V
:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1300@25V
:Typical Rise Time (ns)
23
:Typical Turn-Off Delay Time (ns)
49
:Typical Turn-On Delay Time (ns)
14
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
:Вид монтажа
Through Hole
:Другие названия товара №
SIHF840-E3
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4.9 S
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
50
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичное время задержки выключения
49 ns
:Типичное время задержки при включении
14 ns
:Торговая марка
Vishay Semiconductors
:Упаковка / блок
TO-220-3