Консультация по телефону +7 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

IRF840

Артикул:
8002436950
Наличие:
1000
Производитель:
Vishay
160 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Automotive
No
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
HTS
8541.29.00.95
Id - непрерывный ток утечки
8 A
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
850@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Operating Temperature (C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
125000
Military
No
Minimum Operating Temperature (C)
-55
Mounting
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Package Height
9.01(Max)
Package Length
10.51(Max)
Package Width
4.65(Max)
Part Status
Active
PCB changed
3
Pd - рассеивание мощности
125 W
Pin Count
3
Product Category
Power MOSFET
Qg - заряд затвора
63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Tab
Tab
Typical Fall Time (ns)
20
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
63(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
63(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1300@25V
Typical Rise Time (ns)
23
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
49
Typical Turn-On Delay Time (ns)
14
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
23 ns
Время спада
20 ns
Другие названия товара №
SIHF840-E3
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
4.9 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IRF
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
49 ns
Типичное время задержки при включении
14 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
МОП-транзистор

IRF840PBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 400В третьего поколения, который обеспечивает разработчика лучшим сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности до 50Вт.

• Динамический dV/dt
• Повторяющиеся лавинные характеристики
• Рабочая температура 175°C
• Простое параллельное подключение
• Требования простого привода



Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
От 1 дня
Овердрафт
Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.
Гарантия
Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*
Подбор аналогов
Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности