:Channel Mode
										Enhancement
									 
																	
																	
																	
																	
																	
																	
										:Id - непрерывный ток утечки
										8 A
									 
																	
																	
										:Maximum Continuous Drain Current (A)
										8
									 
																	
										:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
										850@10V
									 
																	
										:Maximum Drain Source Voltage (V)
										500
									 
																	
										:Maximum Gate Source Voltage (V)
										20
									 
																	
										:Maximum Operating Temperature (C)
										150
									 
																	
										:Maximum Power Dissipation (mW)
										125000
									 
																	
																	
										:Minimum Operating Temperature (C)
										-55
									 
																	
																	
										:Number of Elements per Chip
										1
									 
																	
										:Package Height
										9.01(Max)
									 
																	
										:Package Length
										10.51(Max)
									 
																	
																	
																	
																	
										:Pd - рассеивание мощности
										125 W
									 
																	
																	
										:Product Category
										Power MOSFET
									 
																	
										:Qg - заряд затвора
										63 nC
									 
																	
										:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
										850 mOhms
									 
																	
										:Standard Package Name
										TO-220
									 
																	
										:Supplier Package
										TO-220AB
									 
																	
																	
										:Typical Fall Time (ns)
										20
									 
																	
										:Typical Gate Charge @ 10V (nC)
										63(Max)
									 
																	
										:Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
										63(Max)@10V
									 
																	
										:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
										1300@25V
									 
																	
										:Typical Rise Time (ns)
										23
									 
																	
										:Typical Turn-Off Delay Time (ns)
										49
									 
																	
										:Typical Turn-On Delay Time (ns)
										14
									 
																	
										:Vds - напряжение пробоя сток-исток
										500 V
									 
																	
										:Vgs - напряжение затвор-исток
										20 V, + 20 V
									 
																	
										:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
										2 V
									 
																	
										:Вид монтажа
										Through Hole
									 
																	
																	
																	
										:Другие названия товара №
										SIHF840-E3
									 
																	
										:Канальный режим
										Enhancement
									 
																	
										:Категория продукта
										МОП-транзистор
									 
																	
										:Количество каналов
										1 Channel
									 
																	
																	
										:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
										4.9 S
									 
																	
										:Максимальная рабочая температура
										+ 150 C
									 
																	
										:Минимальная рабочая температура
										55 C
									 
																	
																	
										:Полярность транзистора
										N-Channel
									 
																	
										:Размер фабричной упаковки
										50
									 
																	
																	
																	
																	
										:Тип транзистора
										1 N-Channel
									 
																	
										:Типичное время задержки выключения
										49 ns
									 
																	
										:Типичное время задержки при включении
										14 ns
									 
																	
										:Торговая марка
										Vishay Semiconductors
									 
																	
																	
										:Упаковка / блок
										TO-220-3