Консультация по телефону 8 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
cart
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

IRF740LCPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB

Модель:
IRF740LCPBF
Артикул:
8002550549
Наличие:
1000
Производитель:
Vishay
210 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Описание
Доставка
Оплата
Характеристики
:Automotive
No
:Channel Mode
Enhancement
:Channel Type
N
:Configuration
Single
:ECCN (US)
EAR99
:EU RoHS
Compliant
:Id - непрерывный ток утечки
10 A
:Lead Shape
Through Hole
:Maximum Continuous Drain Current (A)
10
:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
:Maximum Drain Source Voltage (V)
400
:Maximum Gate Source Voltage (V)
30
:Maximum Operating Temperature (C)
150
:Maximum Power Dissipation (mW)
125000
:Military
No
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Mounting
Through Hole
:Number of Elements per Chip
1
:Package Height
9.01(Max)
:Package Length
10.41(Max)
:Package Width
4.7(Max)
:Part Status
Active
:PCB changed
3
:Pd - рассеивание мощности
125 W
:Pin Count
3
:Process Technology
HEXFET
:Product Category
Power MOSFET
:Qg - заряд затвора
39 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
:Standard Package Name
TO-220
:Supplier Package
TO-220AB
:Tab
Tab
:Transistor Configuration
Одинарный
:Typical Fall Time (ns)
20
:Typical Gate Charge @ 10V (nC)
39(Max)
:Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
39(Max)@10V
:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1100@25V
:Typical Rise Time (ns)
31
:Typical Turn-Off Delay Time (ns)
25
:Typical Turn-On Delay Time (ns)
11
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
400 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
:Вес, г
1.98
:Вид монтажа
Through Hole
:Высота
9.01мм
:Длина
10.41мм
:Канальный режим
Enhancement
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Количество элементов на ИС
1
:Конфигурация
Single
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
:Максимальное напряжение сток-исток
400 V
:Максимальное рассеяние мощности
125 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
10 A
:Материал транзистора
SI
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Номер канала
Поднятие
:Подкатегория
MOSFETs
:Полярность транзистора
N-Channel
:Производитель
Vishay
:Размер фабричной упаковки
50
:Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
:Серия
IRF
:Технология
Si
:Тип канала
N
:Тип корпуса
TO-220AB
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Тип продукта
MOSFET
:Типичная входная емкость при Vds
1100 pF@ 25 V
:Типичное время задержки включения
11 ns
:Типичное время задержки выключения
25 ns
:Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
:Торговая марка
Vishay Semiconductors
:Упаковка
Tube
:Упаковка / блок
TO-220-3
:Число контактов
3
:Ширина
4.7мм
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
Описание большое в несколько строчек
Овердрафт
Описание большое в несколько строчек
Гарантия
Описание большое в несколько строчек
Подбор аналогов
Описание большое в несколько строчек
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности