:Channel Mode
Enhancement
:Id - непрерывный ток утечки
10 A
:Maximum Continuous Drain Current (A)
10
:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
:Maximum Drain Source Voltage (V)
400
:Maximum Gate Source Voltage (V)
30
:Maximum Operating Temperature (C)
150
:Maximum Power Dissipation (mW)
125000
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Number of Elements per Chip
1
:Package Height
9.01(Max)
:Package Length
10.41(Max)
:Pd - рассеивание мощности
125 W
:Process Technology
HEXFET
:Product Category
Power MOSFET
:Qg - заряд затвора
39 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
550 mOhms
:Standard Package Name
TO-220
:Supplier Package
TO-220AB
:Transistor Configuration
Одинарный
:Typical Fall Time (ns)
20
:Typical Gate Charge @ 10V (nC)
39(Max)
:Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
39(Max)@10V
:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1100@25V
:Typical Rise Time (ns)
31
:Typical Turn-Off Delay Time (ns)
25
:Typical Turn-On Delay Time (ns)
11
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
400 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
:Вид монтажа
Through Hole
:Канальный режим
Enhancement
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Количество элементов на ИС
1
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
:Максимальное напряжение сток-исток
400 V
:Максимальное рассеяние мощности
125 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
550 мΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
10 A
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
50
:Размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичная входная емкость при Vds
1100 pF@ 25 V
:Типичное время задержки включения
11 ns
:Типичное время задержки выключения
25 ns
:Типичный заряд затвора при Vgs
39 нКл при 10 В
:Торговая марка
Vishay Semiconductors
:Упаковка / блок
TO-220-3