Характеристики
Channel Mode:
Enhancement
Dimensions:
5 x 4 x 1.5mm
Forward Diode Voltage:
1V
Forward Transconductance:
3.1s
Maximum Continuous Drain Current:
5.8 A
Maximum Drain Source Resistance:
70 mΩ
Maximum Drain Source Voltage:
30 V
Maximum Gate Source Voltage:
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
2.5 W
Minimum Gate Threshold Voltage:
1V
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Mounting Type:
Surface Mount
Number of Elements per Chip:
1
Transistor Configuration:
Single
Typical Gate Charge @ Vgs:
59 nC @ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds:
1100 pF @ -25 V
Typical Turn-Off Delay Time:
45 ns
Typical Turn-On Delay Time:
16 ns
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.