Характеристики
:Channel Mode
Enhancement
:Dimensions
5 x 4 x 1.5mm
:Forward Diode Voltage
1V
:Forward Transconductance
3.1s
:Maximum Continuous Drain Current
5.8 A
:Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
:Maximum Drain Source Voltage
30 V
:Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Power Dissipation
2.5 W
:Minimum Gate Threshold Voltage
1V
:Minimum Operating Temperature
-55 C
:Mounting Type
Surface Mount
:Number of Elements per Chip
1
:Transistor Configuration
Single
:Typical Gate Charge @ Vgs
59 nC @ 10 V
:Typical Input Capacitance @ Vds
1100 pF @ -25 V
:Typical Turn-Off Delay Time
45 ns
:Typical Turn-On Delay Time
16 ns
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.