Характеристики
Maximum Gate Threshold Voltage:
0.7V
Minimum Gate Threshold Voltage:
0.7V
Transistor Configuration:
Одинарный
Категория:
Мощный МОП-транзистор
Количество элементов на ИС:
1
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-12 V, +12 V
Максимальное напряжение сток-исток:
20 V
Максимальное рассеяние мощности:
2,5 Вт
Максимальное сопротивление сток-исток:
60 МОм
Максимальный непрерывный ток стока:
6,7 А
Материал транзистора:
Кремний
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Типичная входная емкость при Vds:
1500 pF @ -15 V
Типичное время задержки включения:
14 ns
Типичное время задержки выключения:
100 нс
Типичный заряд затвора при Vgs:
50 nC @ 4.5 V
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.