Channel Mode:
Enhancement
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC:
10A
Maximum Continuous Drain Current (A):
10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm):
550@10V
Maximum Drain Source Voltage (V):
400
Maximum Gate Source Voltage (V):
20
Maximum Operating Temperature (C):
150
Maximum Power Dissipation (mW):
125000
Minimum Gate Threshold Voltage:
2V
Minimum Operating Temperature (C):
-55
Number of Elements per Chip:
1
Package Height:
9.01(Max)
Package Length:
10.41(Max)
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC):
125W
Product Category:
Power MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance:
550mО @ 6A,10V
Standard Package Name:
TO-220
Supplier Package:
TO-220AB
Transistor Configuration:
Одинарный
Transistor Polarity:
N Channel
Typical Fall Time (ns):
24
Typical Gate Charge @ 10V (nC):
63(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC):
63(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF):
1400@25V
Typical Rise Time (ns):
27
Typical Turn-Off Delay Time (ns):
50
Typical Turn-On Delay Time (ns):
14
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
400V
Vgs - Gate-Source Voltage:
4V @ 250uA
Категория:
Мощный МОП-транзистор
Количество элементов на ИС:
1
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-исток:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение сток-исток:
400 V
Максимальное рассеяние мощности:
125 W
Максимальное сопротивление сток-исток:
550 мΩ
Максимальный непрерывный ток стока:
10 A
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Размеры:
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Типичная входная емкость при Vds:
1400 пФ при 25 В
Типичное время задержки включения:
14 ns
Типичное время задержки выключения:
50 ns
Типичный заряд затвора при Vgs:
63 nC @ 10 V