IRF540NS

MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 33A Resistance, Rds On 0.052ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style D2-PAK Termination Type SMD Alternate Case Style D2-PAK Current, Idm Pulse 110A Power Dissipation 140W Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W Power, Pd 140W SMD Marking IRF540NS Temperature, Current 25C Temperature, Full Power Rating 25C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.1C/W Voltage, Vds 100V Voltage, Vds Max 100V Voltage, Vgs th Max 4V
Корпус TO-263-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 33 А, Сопротивление открытого канала (мин) 44 мОм