Характеристики
:Крутизна характеристики, S
21
:Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
120
:Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
:Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
100
:Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
33
:Пороговое напряжение на затворе
2…4
:Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,
0.044 Ом/16А, 10В
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.