IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262

Модель:

IRF540NLPBF

Артикул:

8002678559

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

220 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

IRF540 -&gt,

:Brand

Infineon

:Category

Power MOSFET

:Channel Mode

Enhancement

:Channel Type

:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

33A (Tc)

:Dimensions

10.67 x 4.83 x 9.65mm

:Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

:ECCN

EAR99

:FET Type

N-Channel

:Forward Diode Voltage

1.2V

:Forward Transconductance

21s

:Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

:Height

9.65mm

:HTSUS

8541.29.0095

:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 25V

:Length

10.67mm

:Maximum Continuous Drain Current

33 A

:Maximum Drain Source Resistance

44 mΩ

:Maximum Drain Source Voltage

100 V

:Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

:Maximum Operating Temperature

+175 C

:Maximum Power Dissipation

130 W

:Minimum Operating Temperature

-55 C

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Through Hole

:Number of Elements per Chip

:Operating Temperature

-55ВC ~ 175ВC (TJ)

:Package

Tube

:Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

:Package Type

I2PAK (TO-262)

:Pin Count

:Power Dissipation (Max)

130W (Tc)

:Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 16A, 10V

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Series

HEXFET

:Supplier Device Package

TO-262

:Technology

MOSFET (Metal Oxide)

:Transistor Configuration

Single

:Transistor Material

:Typical Gate Charge @ Vgs

71 nC @ 10 V

:Typical Input Capacitance @ Vds

1960 pF @ 25 V

:Typical Turn-Off Delay Time

39 ns

:Typical Turn-On Delay Time

11 ns

:Vgs (Max)

В20V

:Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВA

:Width

4.83mm

:Вес, г

1.58

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?