[]

5 отзывов

IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262

Name: IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262
Brand: Infineon Technologies
SKU: 8002678559
Price: 220.0000 RUB

Модель:

IRF540NLPBF

Артикул:

8002678559

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

220 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

IRF540 -&gt,

Brand

Infineon

Category

Power MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

33A (Tc)

Dimensions

10.67 x 4.83 x 9.65mm

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

21s

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Height

9.65mm

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 25V

Length

10.67mm

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Drain Source Resistance

44 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+175 C

Maximum Power Dissipation

130 W

Minimum Operating Temperature

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Number of Elements per Chip

Operating Temperature

-55ВC ~ 175ВC (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

Package Type

I2PAK (TO-262)

Pin Count

Power Dissipation (Max)

130W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 16A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Series

HEXFET

Supplier Device Package

TO-262

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration

Single

Transistor Material

Typical Gate Charge @ Vgs

71 nC @ 10 V

Typical Input Capacitance @ Vds

1960 pF @ 25 V

Typical Turn-Off Delay Time

39 ns

Typical Turn-On Delay Time

11 ns

Vgs (Max)

В20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВA

Width

4.83mm

Вес, г

1.58

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?