IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262

Модель:

IRF540NLPBF

Артикул:

8002678559

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

220 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

Base Product Number:

IRF540 -&gt,

Brand:

Infineon

Category:

Power MOSFET

Channel Mode:

Enhancement

Channel Type:

Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC:

33A (Tc)

Dimensions:

10.67 x 4.83 x 9.65mm

Drain to Source Voltage (Vdss):

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):

10V

ECCN:

EAR99

FET Type:

N-Channel

Forward Diode Voltage:

1.2V

Forward Transconductance:

21s

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:

71nC @ 10V

Height:

9.65mm

HTSUS:

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:

1960pF @ 25V

Length:

10.67mm

Maximum Continuous Drain Current:

33 A

Maximum Drain Source Resistance:

44 mΩ

Maximum Drain Source Voltage:

100 V

Maximum Gate Source Voltage:

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature:

+175 C

Maximum Power Dissipation:

130 W

Minimum Operating Temperature:

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL):

1 (Unlimited)

Mounting Type:

Through Hole

Number of Elements per Chip:

Operating Temperature:

-55ВC ~ 175ВC (TJ)

Package:

Tube

Package / Case:

TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA

Package Type:

I2PAK (TO-262)

Pin Count:

Power Dissipation (Max):

130W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

44mOhm @ 16A, 10V

REACH Status:

REACH Unaffected

RoHS Status:

ROHS3 Compliant

Series:

HEXFET

Supplier Device Package:

TO-262

Technology:

MOSFET (Metal Oxide)

Transistor Configuration:

Single

Transistor Material:

Typical Gate Charge @ Vgs:

71 nC @ 10 V

Typical Input Capacitance @ Vds:

1960 pF @ 25 V

Typical Turn-Off Delay Time:

39 ns

Typical Turn-On Delay Time:

11 ns

Vgs (Max):

В20V

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 250ВA

Width:

4.83mm

Вес, г:

1.58

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Доставка товара:

Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
Вес груза: 1 кг
Объем груза: 0.1 м³

Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата

Порядок работы:

Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
После оплаты товар отправляется на склад.

Порядок оплаты:

100% предоплата на счет Поставщика.
Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

IRF540NLPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 33А, 140Вт, TO262

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?