Характеристики
:Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC
9.2A
:Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)
60W
:Rds On - Drain-Source Resistance
270mО @ 5.5A,10V
:Transistor Polarity
N Channel
:Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
MOSFET, N, 100V, 9.2A, TO-220, Transistor Type: MOSFET, Transistor Polarity: N, Voltage, Vds Typ: 100V, Current, Id Cont: 9.2A, Resistance, Rds On: 0.27ohm, Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V, Voltage, Vgs th Typ: 4V, Case Style: TO-220AB, Termination Type: Through Hole, Current, Idm Pulse: 37A, Power, Pd: 60W, Thermal Resistance, Junction to Case A: 2.5°C/W, Voltage, Vds Max: 100V
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.