Корпус
DIP-8 (0.300 inch)
Максимальное напряжение смещения, В
600
Напряжение питания, В
10…15.6
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
45
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
80
Рабочая температура, C
-40…+125 (TJ)
Тип входа
RC входная схема
Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET
ШИМ (широтно-импульсная модуляция) - микросхемы FF (фиксированная частота), Infineon