Конфигурация:
half-bridge
Корпус:
soic-28 (0.295 inch)
Логическое напряжение (VIH), В:
3
Логическое напряжение (VIL), В:
0.8
Максимальное напряжение смещения, В:
600
Напряжение питания, В:
12…20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс:
50
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс:
125
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А:
0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А:
0.35
Рабочая температура, C:
-40…+150 (TJ)
Тип управляемого затвора:
IGBT, N-CH MOSFET