:Конфигурация
half-bridge
:Корпус
soic-8 (0.154 inch)
:Логическое напряжение (VIH), В
3
:Логическое напряжение (VIL), В
0.8
:Максимальное напряжение смещения, В
600
:Напряжение питания, В
10…20
:Номинальное время затухания (Fall Time), нс
50
:Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
100
:Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
0.21
:Пиковый выходной ток спада (Sink), А
0.36
:Рабочая температура, C
-40…+150 (TJ)
:Тип входа
неинвертирующий
:Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET