:Конфигурация
High-Side/Low-Side
:Корпус
soic-8 (0.154 inch)
:Логическое напряжение (VIH), В
2.2
:Логическое напряжение (VIL), В
0.7
:Максимальное напряжение смещения, В
200
:Напряжение питания, В
10…20
:Номинальное время затухания (Fall Time), нс
20
:Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
35
:Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
1
:Пиковый выходной ток спада (Sink), А
1
:Рабочая температура, C
-40…+150 (TJ)
:Тип управляемого затвора
N-CH MOSFET