Корпус
soic-8 (0.154 inch)
Логическое напряжение (VIH), В
2.9
Логическое напряжение (VIL), В
0.8
Максимальное напряжение смещения, В
600
Напряжение питания, В
10…20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
50
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
150
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
0.35
Рабочая температура, C
-40…+150 (TJ)
Тип входа
неинвертирующий
Тип управляемого затвора
IGBT, N-CH MOSFET