:Maximum Gate Threshold Voltage
4V
:Minimum Gate Threshold Voltage
2V
:Transistor Configuration
Одинарный
:Категория
Мощный МОП-транзистор
:Количество элементов на ИС
1
:Крутизна характеристики S,А/В
19
:Максимальная рабочая температура
+175 C
:Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
94
:Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
:Максимальное напряжение сток-исток
55 В
:Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
55
:Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
:Максимальное рассеяние мощности
94 W
:Максимальное сопротивление сток-исток
17.5 mΩ
:Максимальный непрерывный ток стока
49 A
:Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
49
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
17.5
:Температура, С
-55...+175
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичная входная емкость при Vds
1470 pF@ 25 V
:Типичное время задержки включения
12 нс
:Типичное время задержки выключения
44 нс
:Типичный заряд затвора при Vgs
63 nC @ 10 V