2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

Модель:

2N7002DWH6327XTSA1

Артикул:

8002673067

Наличие:

1000

Производитель:

Infineon Technologies

14 ₽

1 шт

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

2N7002 -&gt,

:Brand

Infineon

:Channel Mode

Поднятие

:Channel Type

:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

300mA

:Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

:ECCN

EAR99

:FET Feature

Logic Level Gate

:FET Type

2 N-Channel (Dual)

:Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V

:HTSUS

8541.21.0095

:Id - непрерывный ток утечки

300 mA

:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

:Length

2мм

:Maximum Continuous Drain Current

300 мА

:Maximum Drain Source Voltage

60 В

:Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

:Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

:Maximum Operating Temperature

+150 C

:Minimum Operating Temperature

-55 C

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Surface Mount

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

:Package / Case

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

:Package Type

SOT-363 (SC-88)

:Pd - рассеивание мощности

500 mW

:Power - Max

500mW

:Qg - заряд затвора

600 pC

:Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

:Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Series

OptiMOS

:Supplier Device Package

PG-SOT363-6

:Transistor Configuration

Изолированный

:Transistor Material

Кремний

:Typical Gate Charge @ Vgs

0.4 nC @ 10 V

:Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

:Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

:Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВA

:Width

1.25мм

:Вес, г

0.02

:Вид монтажа

SMD/SMT

:Время нарастания

3.3 ns, 3.3 ns

:Время спада

3.1 ns, 3.1 ns

:Высота

0.8мм

:Длина

2мм

:Другие названия товара №

2N7002DW H6327 SP000917596

:Канальный режим

Enhancement

:Категория продукта

МОП-транзистор

:Квалификация

AEC-Q101

:Количество каналов

2 Channel

:Количество элементов на ИС

:Конфигурация

Dual

:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

200 mS, 200 mS

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Максимальное напряжение сток-исток

60 В

:Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

:Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

:Максимальное сопротивление сток-исток

4 Ω

:Материал транзистора

Кремний

:Минимальная рабочая температура

-55 C

:Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

:Номер канала

Поднятие

:Подкатегория

MOSFETs

:Полярность транзистора

N-Channel

:Размер фабричной упаковки

3000

:Серия

OptiMOS

:Технология

:Тип канала

:Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

:Тип монтажа

Поверхностный монтаж

:Тип продукта

MOSFET

:Тип транзистора

2 N-Channel

:Типичное время задержки выключения

5.5 ns, 5.5 ns

:Типичное время задержки при включении

3 ns, 3 ns

:Типичный заряд затвора при Vgs

0.4 nC @ 10 V

:Торговая марка

Infineon Technologies

:Упаковка / блок

SOT-363-6

:Число контактов

:Ширина

1.25мм

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7002DWH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 300мА, 500мВт, SOT363

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?