:Base Product Number
IKW50N65 ->,
:Current - Collector (Ic) (Max)
50A
:Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
:IGBT Type
Trench Field Stop
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Through Hole
:Operating Temperature
-40ВC ~ 175ВC (TJ)
:Pd - рассеивание мощности
273 W
:Reverse Recovery Time (trr)
93ns
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchStopв„ў ->,
:Вид монтажа
Through Hole
:Другие названия товара №
IKW50N65ET7 SP005348292
:Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
:Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
:Максимальная рабочая температура
+ 175 C
:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
:Минимальная рабочая температура
40 C
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.65 V
:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
:Размер фабричной упаковки
240
:Тип продукта
IGBT Transistors
:Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
:Торговая марка
Infineon Technologies
:Упаковка / блок
TO-247-3