:Base Product Number
IKW50N60 ->,
:Current - Collector (Ic) (Max)
80A
:Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
:IGBT Type
Trench Field Stop
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Through Hole
:Operating Temperature
-40ВC ~ 175ВC (TJ)
:Pd - рассеивание мощности
333 W
:REACH Status
REACH Unaffected
:Reverse Recovery Time (trr)
143ns
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Series
TrenchStopВ ->,
:Transistor Configuration
Одинарный
:Вид монтажа
Through Hole
:Другие названия товара №
IKW50N60T IKW5N6TXK SP000054888
:Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
:Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
:Максимальная рабочая температура
+175 C
:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
:Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
:Максимальный непрерывный ток коллектора
100 А
:Минимальная рабочая температура
-40 C
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
80 A
:Размер фабричной упаковки
240
:Размеры
16.03 x 21.1 x 5.16мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Тип продукта
IGBT Transistors
:Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
:Торговая марка
Infineon Technologies
:Упаковка / блок
TO-247-3