Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
235
Импульсный ток коллектора (Icm), А
200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
333
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25C, A
100
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.3
Рабочая температура (Tj), C
-40…+175
Технология/семейство
trench and fieldstop
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.