Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
19
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
197
Импульсный ток коллектора (Icm), А
160
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
306
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Максимальный ток КЭ при 25C, A
80
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.4
Технология/семейство
trench and fieldstop
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.