Характеристики
							
																	
										:Base Product Number
										IKW25T120 ->,
									 
																	
																	
										:Dimensions
										16.13 x 5.21 x 21.1mm
									 
																	
																	
																	
																	
										:Maximum Collector Emitter Voltage
										1200 В
									 
																	
										:Maximum Continuous Collector Current
										50 А
									 
																	
										:Maximum Gate Emitter Voltage
										20V
									 
																	
										:Maximum Operating Temperature
										+150 C
									 
																	
										:Maximum Power Dissipation
										190 Вт
									 
																	
										:Minimum Operating Temperature
										-40 C
									 
																	
																	
										:Pd - рассеивание мощности
										190 W
									 
																	
																	
										:Transistor Configuration
										Одинарный
									 
																	
																	
										:Вид монтажа
										Through Hole
									 
																	
																	
																	
										:Другие названия товара №
										IKW25T120 SP000013939
									 
																	
																	
										:Категория продукта
										Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
									 
																	
										:Коммерческое обозначение
										TRENCHSTOP
									 
																	
																	
										:Максимальная рабочая температура
										+150 C
									 
																	
										:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
										20V
									 
																	
										:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
										1200 В
									 
																	
										:Максимальное рассеяние мощности
										190 Вт
									 
																	
										:Максимальный непрерывный ток коллектора
										50 A
									 
																	
										:Минимальная рабочая температура
										-40 C
									 
																	
										:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
										1200 V
									 
																	
										:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
										1.7 V
									 
																	
										:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
										50 A
									 
																	
																	
																	
																	
										:Размер фабричной упаковки
										240
									 
																	
										:Размеры
										16.13 x 5.21 x 21.1мм
									 
																	
																	
																	
																	
																	
										:Тип монтажа
										Монтаж на плату в отверстия
									 
																	
										:Тип продукта
										IGBT Transistors
									 
																	
										:Ток утечки затвор-эмиттер
										600 nA
									 
																	
										:Торговая марка
										Infineon Technologies
									 
																	
																	
										:Упаковка / блок
										TO-247-3
									 
																	
																	
															 
											 
								Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 50 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Максимальная мощность 190 Вт, Заряд затвора 155 нКл, Тип входа стандартный
					
						- Доставка товара:
							- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 
 
				
					
						- Порядок работы:
							- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
							- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.