:Base Product Number
IKW25T120 ->,
:Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
:Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
:Maximum Continuous Collector Current
50 А
:Maximum Gate Emitter Voltage
20V
:Maximum Operating Temperature
+150 C
:Maximum Power Dissipation
190 Вт
:Minimum Operating Temperature
-40 C
:Pd - рассеивание мощности
190 W
:Transistor Configuration
Одинарный
:Вид монтажа
Through Hole
:Другие названия товара №
IKW25T120 SP000013939
:Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
:Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
:Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
:Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
:Минимальная рабочая температура
-40 C
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.7 V
:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
50 A
:Размер фабричной упаковки
240
:Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Тип продукта
IGBT Transistors
:Ток утечки затвор-эмиттер
600 nA
:Торговая марка
Infineon Technologies
:Упаковка / блок
TO-247-3