Характеристики
Base Product Number:
IKW25T120 ->,
Dimensions:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maximum Collector Emitter Voltage:
1200 В
Maximum Continuous Collector Current:
50 А
Maximum Gate Emitter Voltage:
20V
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
190 Вт
Minimum Operating Temperature:
-40 C
Pd - рассеивание мощности:
190 W
Transistor Configuration:
Одинарный
Вид монтажа:
Through Hole
Другие названия товара №:
IKW25T120 SP000013939
Категория продукта:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение:
TRENCHSTOP
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:
20V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер):
1200 В
Максимальное рассеяние мощности:
190 Вт
Максимальный непрерывный ток коллектора:
50 A
Минимальная рабочая температура:
-40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:
50 A
Размер фабричной упаковки:
240
Размеры:
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Тип продукта:
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:
600 nA
Торговая марка:
Infineon Technologies
Упаковка / блок:
TO-247-3
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 50 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Максимальная мощность 190 Вт, Заряд затвора 155 нКл, Тип входа стандартный
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.