Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
260
Импульсный ток коллектора (Icm), А
60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
217
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A
30
Наличие встроенного диода
да
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.4
Технология/семейство
trench and fieldstop
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.