IKB30N65ES5ATMA1

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-263-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В,

Ток коллектора: 30 А,

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.35 В,

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В,

Ток коллектора при 25°С: 62 A,

Рассеиваемая мощность: 188 Вт,

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА,

Заряд затвора: 70 нКл,

Рабочая температура: -40...+175 °C,

Корпус: TO-263-3

Корпус TO263

• Доставка товара:
• Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
• Вес груза: 1 кг
• Объем груза: 0.1 м³
• Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 

• Порядок работы:
• Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
• Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
• Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
• После оплаты товар отправляется на склад.
• Порядок оплаты:
• 100% предоплата на счет Поставщика.
• Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.