IKB30N65ES5ATMA1

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

IGBT транзистор TRENCHSTOP 5 поколения 650 В, 30 А с обратно параллельным диодом в корпусе ТО-263-3.

Характеристики:

Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В,

Ток коллектора: 30 А,

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.35 В,

Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20 В,

Ток коллектора при 25°С: 62 A,

Рассеиваемая мощность: 188 Вт,

Ток утечки затвор-эмиттер: 100 нА,

Заряд затвора: 70 нКл,

Рабочая температура: -40...+175 °C,

Корпус: TO-263-3

Корпус TO263