Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс
50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс
560
Импульсный ток коллектора (Icm), А
75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
190
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Максимальный ток КЭ при 25C, A
50
Наличие встроенного диода
нет
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.2
Технология/семейство
trench and fieldstop
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.