[]

5 отзывов

HGTG30N60B3D

Name: HGTG30N60B3D
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8001927866
Price: 310.0000 RUB

Артикул:

8001927866

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

310 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

HGTG30N60 -&gt,

Current - Collector (Ic) (Max)

60A

Current - Collector Pulsed (Icm)

220A

ECCN

EAR99

Gate Charge

170nC

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Pd - рассеивание мощности

208 W

Power - Max

208W

REACH Status

REACH Unaffected

Вид монтажа

Through Hole

Высота

20.82 mm

Длина

15.87 mm

Другие названия товара №

HGTG30N60B3D_NL

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Конфигурация

Single

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.45 V

Непрерывный коллекторный ток

60 A

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

60 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

HGTG30N60B3D

Технология

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 250 nA

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Ширина

4.82 mm

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ

Корпус TO-247-3

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

HGTG30N60B3D

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?