[]

5 отзывов

HGTG30N60B3D

Артикул:

8001927866

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

310 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

HGTG30N60 -&gt,

:Current - Collector (Ic) (Max)

60A

:Current - Collector Pulsed (Icm)

220A

:ECCN

EAR99

:Gate Charge

170nC

:HTSUS

8541.29.0095

:Input Type

Standard

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Through Hole

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Tube

:Package / Case

TO-247-3

:Pd - рассеивание мощности

208 W

:Power - Max

208W

:REACH Status

REACH Unaffected

:Вид монтажа

Through Hole

:Высота

20.82 mm

:Длина

15.87 mm

:Другие названия товара №

HGTG30N60B3D_NL

:Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

:Конфигурация

Single

:Максимальная рабочая температура

+ 150 C

:Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

:Минимальная рабочая температура

55 C

:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.45 V

:Непрерывный коллекторный ток

60 A

:Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

:Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

60 A

:Подкатегория

IGBTs

:Размер фабричной упаковки

450

:Серия

HGTG30N60B3D

:Технология

Si

:Тип продукта

IGBT Transistors

:Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 250 nA

:Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

:Упаковка

Tube

:Упаковка / блок

TO-247-3

:Ширина

4.82 mm

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек