[]

5 отзывов

HGTG30N60A4

Артикул:

8001926501

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

410 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

HGTG30N60 -&gt,

:Pd - рассеивание мощности

463 W

:Transistor Configuration

Одинарный

:Вид монтажа

Through Hole

:Высота

20.82мм

:Длина

15.87мм

:Другие названия товара №

HGTG30N60A4_NL

:Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

:Конфигурация

Single

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

:Максимальный непрерывный ток коллектора

75 A

:Минимальная рабочая температура

-55 C

:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.8 V

:Непрерывный коллекторный ток

75 A

:Непрерывный коллекторный ток при 25 C

75 A

:Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

75 A

:Подкатегория

IGBTs

:Производитель

ON Semiconductor

:Размер фабричной упаковки

450

:Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

:Серия

HGTG30N60A4

:Технология

Si

:Тип канала

N

:Тип корпуса

TO-247

:Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

:Тип продукта

IGBT Transistors

:Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 250 nA

:Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

:Упаковка

Tube

:Упаковка / блок

TO-247-3

:Число контактов

3

:Ширина

4.82мм

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек