Характеристики
:Base Product Number
HGTG30N60 ->,
:Pd - рассеивание мощности
463 W
:Transistor Configuration
Одинарный
:Вид монтажа
Through Hole
:Другие названия товара №
HGTG30N60A4_NL
:Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
:Максимальная рабочая температура
+150 C
:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
:Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
:Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
:Непрерывный коллекторный ток
75 A
:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
75 A
:Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
75 A
:Производитель
ON Semiconductor
:Размер фабричной упаковки
450
:Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Тип продукта
IGBT Transistors
:Ток утечки затвор-эмиттер
+/- 250 nA
:Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
:Упаковка / блок
TO-247-3
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.