Характеристики
Base Product Number:
HGTG30N60 ->,
Pd - рассеивание мощности:
463 W
Transistor Configuration:
Одинарный
Вид монтажа:
Through Hole
Другие названия товара №:
HGTG30N60A4_NL
Категория продукта:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:
20V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер):
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
75 A
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.8 V
Непрерывный коллекторный ток:
75 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:
75 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:
75 A
Производитель:
ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки:
450
Размеры:
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Тип продукта:
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:
+/- 250 nA
Торговая марка:
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок:
TO-247-3
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.