[]

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

5 отзывов

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

Модель:

GT50JR22(STA1,E,S)

Артикул:

9000339627

Наличие:

1000

Производитель:

Toshiba

220 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс

250

:Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс

330

:Импульсный ток коллектора (Icm), А

100

:Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

230

:Максимальное напряжение КЭ ,В

600

:Максимальный ток КЭ при 25C, A

50

:Наличие встроенного диода

да

:Напряжение насыщения при номинальном токе, В

1.55

:Рабочая температура (Tj), C

-55…+175

:Технология/семейство

gen 6.5

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек