5 отзывов

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]

Name: GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
Brand: Toshiba
SKU: 9000339627
Price: 220.0000 RUB

Модель:

GT50JR22(STA1,E,S)

Артикул:

9000339627

Наличие:

1000

Производитель:

Toshiba

220 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс

250

Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс

330

Импульсный ток коллектора (Icm), А

100

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

230

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Максимальный ток КЭ при 25C, A

Наличие встроенного диода

да

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

1.55

Рабочая температура (Tj), C

-55…+175

Технология/семейство

gen 6.5

Дискретные IGBT, Toshiba

С этим товаром часто заказывают

Цена: 280 р. 123 р. GT30F125, Форм.выводы Артикул: 9000413745

Цена: 140 р. 123 р. GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] Артикул: 9000448127

Цена: 240 р. 123 р. GT30J322 L-forming leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] Артикул: 9000365544

Цена: 620 р. 123 р. GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C] Артикул: 9000273143

Цена: 880 р. 123 р. GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)] Артикул: 9000417311

Цена: 290 р. 123 р. GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] Артикул: 9000765693

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги