:Id - непрерывный ток утечки
3 A
:Pd - рассеивание мощности
2.5 W
:Qg - заряд затвора
5.6 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.75 Ohms
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
:Другие названия товара №
FQD4N25TM_WS
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
2500
:Тип транзистора
1 N-Channel
:Типичное время задержки выключения
6.4 ns
:Типичное время задержки при включении
6.8 ns
:Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
:Упаковка / блок
TO-252-3