Характеристики
Base Product Number:
FGHL50 ->,
Current - Collector (Ic) (Max):
100A
Current - Collector Pulsed (Icm):
200A
Dimensions:
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Maximum Collector Emitter Voltage:
650 В
Maximum Continuous Collector Current:
100 А
Maximum Operating Temperature:
+175 C
Maximum Power Dissipation:
268 Вт
Mounting Type:
Монтаж на плату в отверстия
Pd - рассеивание мощности:
268 W
Transistor Configuration:
Одинарный
Вид монтажа:
Through Hole
Категория продукта:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Максимальная рабочая температура:
+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:
20V
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:
100 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:
100 A
Размер фабричной упаковки:
450
Тип продукта:
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:
400 nA
Торговая марка:
ON Semiconductor
Упаковка / блок:
TO-247-3
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 20, АБ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS4TIGBT 50A 650V
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.