Характеристики
:Base Product Number
FGHL50 ->,
:Current - Collector (Ic) (Max)
100A
:Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
:Dimensions
15.87 x 4.82 x 20.82мм
:Maximum Collector Emitter Voltage
650 В
:Maximum Continuous Collector Current
100 А
:Maximum Operating Temperature
+175 C
:Maximum Power Dissipation
268 Вт
:Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
:Pd - рассеивание мощности
268 W
:Transistor Configuration
Одинарный
:Вид монтажа
Through Hole
:Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
:Максимальная рабочая температура
+ 175 C
:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.6 V
:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
100 A
:Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
100 A
:Размер фабричной упаковки
450
:Тип продукта
IGBT Transistors
:Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
:Торговая марка
ON Semiconductor
:Упаковка / блок
TO-247-3
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 20, АБ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS4TIGBT 50A 650V
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.