:Base Product Number
FGHL50 ->,
:Current - Collector (Ic) (Max)
100A
:Current - Collector Pulsed (Icm)
200A
:Dimensions
15.87 x 4.82 x 20.82мм
:Maximum Collector Emitter Voltage
650 В
:Maximum Continuous Collector Current
100 А
:Maximum Operating Temperature
+175 C
:Maximum Power Dissipation
268 Вт
:Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
:Pd - рассеивание мощности
268 W
:Transistor Configuration
Одинарный
:Вид монтажа
Through Hole
:Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
:Максимальная рабочая температура
+ 175 C
:Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20V
:Минимальная рабочая температура
-55 C
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.6 V
:Непрерывный коллекторный ток при 25 C
100 A
:Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
100 A
:Размер фабричной упаковки
450
:Тип продукта
IGBT Transistors
:Ток утечки затвор-эмиттер
400 nA
:Торговая марка
ON Semiconductor
:Упаковка / блок
TO-247-3