[]

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

5 отзывов

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

Модель:

FGA25N120ANTDTU

Артикул:

9020003351

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

240 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Вес, г

6.5

:Время задержки включения (td(on)) при при 25C, нс

50

:Время задержки выключения (td(off)) при при 25C, нс

190

:Дополнительные опции

встроенный быстродействующий диод

:Импульсный ток коллектора (Icm), А

90

:Корпус

to-3p

:Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

312

:Максимальное напряжение КЭ ,В

1200

:Максимальный ток КЭ при 25C, A

50

:Наличие встроенного диода

да

:Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.65

:Рабочая температура (Tj), C

-55…+150

:Структура

igbt+диод

:Технология/семейство

npt trench

:Управляющее напряжение,В

5.5

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек