FF200R12KS4HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 275 А, 3.2 В, 1.4 кВт, 1.2 кВ, Module

'Силовой IGBT модуль, 62 мм, полумост, технология IGBT2 FAST.
Технические характеристики:
Напряжение К-Э: 1200 В
Номинальный ток при 25°C: 200 А
Напряжение насыщения К-Э при 25°C: 3.2 В
Технология: IGBT2 FAST
Конфигурация: полумост
Корпус: 62 мм'
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 275 А