Характеристики
:Base Product Number
DPLS4140 ->,
:Collector-Emitter Breakdown Voltage
140V
:Current - Collector (Ic) (Max)
4A
:Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
:DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
:Frequency - Transition
150MHz
:Maximum DC Collector Current
4A
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Surface Mount
:Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
:Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
:Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
:Pd - Power Dissipation
1W
:Pd - рассеивание мощности
1000 mW
:REACH Status
REACH Unaffected
:RoHS Status
ROHS3 Compliant
:Supplier Device Package
SOT-223
:Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
360mV @ 300mA, 3A
:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140V
:Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
:Максимальная рабочая температура
+ 150 C
:Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Напряжение коллектор-база (VCBO)
180 V
:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
140 V
:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
360 mV
:Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
:Подкатегория
Transistors
:Полярность транзистора
PNP
:Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
150 MHz
:Размер фабричной упаковки
2500
:Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
:Торговая марка
Diodes Incorporated
:Упаковка / блок
SOT-223-4
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 1W
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.