Base Product Number
DPLS4140 ->,
Collector-Emitter Breakdown Voltage
140V
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Maximum DC Collector Current
4A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Pd - Power Dissipation
1W
Pd - рассеивание мощности
1000 mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
360mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140V
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
360 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Полярность транзистора
PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
150 MHz
Размер фабричной упаковки
2500
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 1W