2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523

Модель:

2N7002T-7-F

Артикул:

8002633004

Наличие:

1000

Производитель:

Diodes Incorporated

38 ₽

1 шт

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Automotive

:Base Product Number

2N7002 -&gt,

:Brand

DiodesZetex

:Channel Mode

Поднятие

:Channel Type

:Configuration

Single

:Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC

115mA

:Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC

115mA (Ta)

:Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

:Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

:ECCN

EAR99

:ECCN (US)

EAR99

:EU RoHS

Compliant

:FET Type

N-Channel

:Height

0.8мм

:HTS

8541.29.00.95

:HTSUS

8541.21.0095

:Id - непрерывный ток утечки

115 mA

:Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

:Lead Shape

Gull-wing

:Maximum Continuous Drain Current

115 мА

:Maximum Continuous Drain Current (A)

0.115

:Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25C (A)

0.115

:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

7500@5V

:Maximum Drain Source Voltage

60 В

:Maximum Drain Source Voltage (V)

:Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

:Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

:Maximum Gate Source Voltage (V)

:Maximum Gate Threshold Voltage

:Maximum Gate Threshold Voltage (V)

:Maximum IDSS (uA)

:Maximum Operating Temperature (C)

150

:Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

:Maximum Power Dissipation (mW)

150

:Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25C (W)

0.15

:Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25C (A)

0.8

:Military

:Minimum Gate Threshold Voltage (V)

:Minimum Operating Temperature

-55 C

:Minimum Operating Temperature (C)

-55

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting

Surface Mount

:Mounting Type

Поверхностный монтаж

:Number of Elements per Chip

:Operating Junction Temperature (C)

-55 to 150

:Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

:Package / Case

SOT-523

:Package Height

0.75

:Package Length

1.6

:Package Width

0.8

:Packaging

Tape and Reel

:Part Status

Active

:PCB changed

:Pd - рассеивание мощности

150 mW

:Pin Count

:Power Dissipation (Max)

150mW (Ta)

:Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)

150mW

:Product Category

Small Signal

:Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

:Rds On - Drain-Source Resistance

7.5О @ 50mA,5V

:Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Standard Package Name

SOT

:Supplier Device Package

SOT-523

:Supplier Package

SOT-523

:Supplier Temperature Grade

Commercial

:Technology

MOSFET (Metal Oxide)

:Transistor Configuration

Одинарный

:Transistor Polarity

N Channel

:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

22@25V

:Typical Output Capacitance (pF)

:Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

2@25V

:Typical Turn-Off Delay Time (ns)

:Typical Turn-On Delay Time (ns)

:Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

:Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

:Vgs (Max)

В20V

:Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

:Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

:Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВA

:Width

0.85мм

:Вес, г

0.02

:Вид монтажа

SMD/SMT

:Высота

0.8мм

:Длина

1.7мм

:Канальный режим

Enhancement

:Категория

Малый сигнал

:Категория продукта

МОП-транзистор

:Количество каналов

1 Channel

:Количество элементов на ИС

:Конфигурация

Single

:Конфигурация транзистора

Одинарный

:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

:Максимальное напряжение сток-исток

60 В

:Максимальное рассеяние мощности

150 мВт

:Максимальное сопротивление сток-исток

13,5 Ω

:Максимальный непрерывный ток стока

115 mA

:Материал транзистора

Кремний

:Минимальная рабочая температура

-55 C

:Номер канала

Поднятие

:Подкатегория

MOSFETs

:Полярность транзистора

N-Channel

:Продукт

MOSFET Small Signal

:Производитель

DiodesZetex

:Размер фабричной упаковки

3000

:Размеры

1.7 x 0.85 x 0.8мм

:Серия

2N7002

:Технология

:Тип

Enhancement Mode Field Effect Transistor

:Тип канала

:Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

:Тип монтажа

Surface Mount

:Тип продукта

MOSFET

:Тип транзистора

1 N-Channel

:Типичная входная емкость при Vds

22 пФ при 25 В

:Типичное время задержки включения

7 ns

:Типичное время задержки выключения

11 ns

:Типичное время задержки при включении

7 ns

:Торговая марка

Diodes Incorporated

:Упаковка / блок

SOT-523-3

:Число контактов

:Ширина

0.85

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?