• Низкий уровень инжекции заряда 20 пК
• Быстрое время перехода 160 нс
• Низкое энергопотребление 10 мкА
• Уменьшение ошибок переключения
• Уменьшение сбоев
• Повышение пропускной способности данных
• Уменьшение мощности потребление
• Повышенная прочность