:Id - непрерывный ток утечки
187 A
:Pd - рассеивание мощности
300 W
:Qg - заряд затвора
78 nC
:Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.6 mOhms
:Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
:Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
:Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.2 V
:Вид монтажа
Through Hole
:Канальный режим
Enhancement
:Категория продукта
МОП-транзистор
:Количество каналов
1 Channel
:Коммерческое обозначение
NexFET
:Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
274 S
:Максимальная рабочая температура
+ 175 C
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Полярность транзистора
N-Channel
:Размер фабричной упаковки
50