Id - непрерывный ток утечки
187 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.2 V
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
NexFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
274 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
50
МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор