:Capacitance @ Vr, F
611pF @ 0V, 1MHz
:Current - Average Rectified (Io)
37A (DC)
:Current - Reverse Leakage @ Vr
50ВA @ 650V
:Diode Type
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
:Maximum Continuous Forward Current
10A
:Maximum Forward Voltage Drop
1.6V
:Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
:Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
:Number of Elements per Chip
1
:Operating Temperature - Junction
-55ВC ~ 175ВC
:Peak Reverse Repetitive Voltage
650V
:Reverse Recovery Time (trr)
0ns
:RoHS Status
RoHS Compliant
:Speed
No Recovery Time >, 500mA (Io)
:Supplier Device Package
TO-220-2
:Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650V
:Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.5V @ 10A
:Диодная технология
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
:Количество элементов на ИС
1
:Конфигурация диода
Одинарный
:Максимальное падение прямого напряжения
1.6V
:Максимальный непрерывный прямой ток
10A
:Пиковое обратное повторяющееся напряжение
650V
:Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
86A
:Тип диода
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия