Current Transfer Ratio Test Current (mA):
10
Isolation Voltage:
5 кВ (среднеквадратичное значение)
Maximum Collector Current (mA):
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV):
300
Maximum Collector-Emitter Voltage (V):
70
Maximum Current Transfer Ratio (%):
200
Maximum Forward Current (mA):
60
Maximum Forward Voltage:
1.6V
Maximum Forward Voltage (V):
1.6
Maximum Operating Temperature (C):
110
Maximum Power Dissipation (mW):
200
Maximum Reverse Voltage (V):
5
Minimum Current Transfer Ratio:
100 %
Minimum Current Transfer Ratio (%):
100
Minimum Isolation Voltage (Vrms):
5000
Minimum Operating Temperature (C):
-55
Number of Channels per Chip:
1
Output Device:
Transistor With Base
Package Height:
3.81(Max)
Pd - рассеивание мощности:
200 mW
Standard Package Name:
DIP
Typical Fall Time (us):
3.7
Typical Forward Voltage (V):
1.25
Typical Rise Time (us):
3
Vf - прямое напряжение:
1.6 V
Vr - обратное напряжение:
5 V
Выходное устройство:
Фототранзистор
Категория продукта:
Транзисторные выходные оптопары
Коэффициент передачи по току:
200 %
Максимальная рабочая температура:
+ 110 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
70 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.3 V
Максимальное прямое напряжение:
1.6V
Максимальный коллекторный ток:
50 mA
Максимальный коэффициент передачи по току:
200%
Максимальный ток на входе:
60 mA
Минимальная рабочая температура:
55 C
Минимальный коэффициент передачи по току:
100 %
Напряжение изоляции:
5000 V ac
Подкатегория:
Optocouplers
Тип входного тока:
Пост. ток
Тип монтажа:
Монтаж на плату в отверстия
Типичное время затухания:
3.7мкс
Типичное время нарастания:
3мкс