Current Transfer Ratio Test Current (mA):
10
Maximum Collector Current (mA):
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV):
300
Maximum Collector-Emitter Voltage (V):
32
Maximum Current Transfer Ratio (%):
300
Maximum Forward Current (mA):
75
Maximum Forward Voltage (V):
1.6
Maximum Operating Temperature (C):
85
Maximum Power Dissipation (mW):
250
Maximum Reverse Voltage (V):
5
Minimum Current Transfer Ratio (%):
50
Minimum Isolation Voltage (Vrms):
8200
Minimum Operating Temperature (C):
-55
Number of Channels per Chip:
1
Output Device:
Transistor
Pd - рассеивание мощности:
250 mW
Standard Package Name:
DIP
Typical Fall Time (us):
2.7
Typical Forward Voltage (V):
1.25
Typical Rise Time (us):
2.4
Vf - прямое напряжение:
1.6 V
Vr - обратное напряжение:
5 V
Вид монтажа:
Through Hole
Категория продукта:
Транзисторные выходные оптопары
Количество каналов:
1 Channel
Коэффициент передачи по току:
50 % to 300 %
Максимальная рабочая температура:
+ 85 C
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
32 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.3 V
Максимальный коллекторный ток:
50 mA
Минимальная рабочая температура:
55 C
Напряжение изоляции:
8200 Vrms
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер:
32 V
Описание/функция:
Optocoupler, Phototransistor Output, Very High Iso
Подкатегория:
Optocouplers
Размер фабричной упаковки:
2000
Тип выхода:
NPN Phototransistor