:Current Transfer Ratio Test Current (mA)
10
:Maximum Collector Current (mA)
50
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)
300
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
32
:Maximum Current Transfer Ratio (%)
300
:Maximum Forward Current (mA)
75
:Maximum Forward Voltage (V)
1.6
:Maximum Operating Temperature (C)
85
:Maximum Power Dissipation (mW)
250
:Maximum Reverse Voltage (V)
5
:Minimum Current Transfer Ratio (%)
50
:Minimum Isolation Voltage (Vrms)
8200
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Number of Channels per Chip
1
:Output Device
Transistor
:Pd - рассеивание мощности
250 mW
:Standard Package Name
DIP
:Typical Fall Time (us)
2.7
:Typical Forward Voltage (V)
1.25
:Typical Rise Time (us)
2.4
:Vf - прямое напряжение
1.6 V
:Vr - обратное напряжение
5 V
:Вид монтажа
Through Hole
:Категория продукта
Транзисторные выходные оптопары
:Количество каналов
1 Channel
:Коэффициент передачи по току
50 % to 300 %
:Максимальная рабочая температура
+ 85 C
:Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
32 V
:Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
:Максимальный коллекторный ток
50 mA
:Минимальная рабочая температура
55 C
:Напряжение изоляции
8200 Vrms
:Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
32 V
:Описание/функция
Optocoupler, Phototransistor Output, Very High Iso
:Подкатегория
Optocouplers
:Размер фабричной упаковки
2000
:Тип выхода
NPN Phototransistor