Характеристики
Brand:
Infineon Technologies
Channel Mode:
Enhancement
Factory Pack Quantity:
5000
Maximum Continuous Drain Current:
223 A
Maximum Drain Source Voltage:
25 V
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Mounting Type:
Surface Mount
Number Of Channels:
1 Channel
Packaging:
Reel, Cut Tape
Part # Aliases:
BSZ009NE2LS5 SP002103848
Pd - Power Dissipation:
69 W
Rds On - Drain-Source Resistance:
960 uOhms
Transistor Polarity:
N-Channel
Transistor Type:
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:
31 ns
Typical Turn-On Delay Time:
7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
25 V
Vgs - Gate-Source Voltage:
-16 V, +16 V
BSZ009NE2LS5ATMA1 — силовой MOSFET Infineon OptiMOS для преобразователей питания и силовых ключей в низковольтных схемах. Рассчитан на диапазон 15–30 В и низкие потери проводимости.
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.