Характеристики
Id - непрерывный ток утечки:
25 mA
Pd - рассеивание мощности:
250 mW
Vds - напряжение пробоя затвор-исток:
25 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
25 V
Другие названия товара №:
934034400215
Категория продукта:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальное напряжение сток-затвор:
25 V
Напряжение отсечки затвор-исток:
0.8 V to - 2 V
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
N-Channel
Размер фабричной упаковки:
3000
Тип продукта:
RF JFET Transistors
Торговая марка:
NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.