Id - непрерывный ток утечки
25 mA
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
25 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток
25 V
Другие названия товара №
934034400215
Категория продукта
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Максимальное напряжение сток-затвор
25 V
Напряжение отсечки затвор-исток
0.8 V to - 2 V
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF JFET Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA