Name: BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 8002574111
Price: 8.0000 RUB

BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23

Модель:

BC847C-7-F

Артикул:

8002574111

Наличие:

1000

Производитель:

Diodes Incorporated

8 ₽

1 шт

Характеристики

Описание

Base Product Number

BC847 -&gt,

Brand

DiodesZetex

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Dimensions

3 x 1.4 x 1.1mm

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

Height

1.1mm

HTSUS

8541.21.0075

Length

3mm

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Maximum Operating Frequency

300 MHz

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum DC Current Gain

420

Minimum Operating Temperature

-65 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Number of Elements per Chip

Operating Temperature

-65ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package Type

SOT-23

Pd - Power Dissipation

300mW

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Pin Count

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Configuration

Single

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Width

1.4mm

Вес, г

0.04

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3.05 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Количество элементов на ИС

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe

420 at 2 mA, 5 V

Конфигурация

Single

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальная рабочая температура

+150 C

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 mV

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

300 MHz

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847C

Технология

Тип корпуса

SOT-23

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Число контактов

Ширина

1.4мм

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?