BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23

Модель:

BC847C-7-F

Артикул:

8002574111

Наличие:

1000

Производитель:

Diodes Incorporated

8 ₽

1 шт

Описание

Доставка

Оплата

Характеристики

:Base Product Number

BC847 -&gt,

:Brand

DiodesZetex

:Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

:Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

:Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

:DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

:Dimensions

3 x 1.4 x 1.1mm

:ECCN

EAR99

:Frequency - Transition

300MHz

:Height

1.1mm

:HTSUS

8541.21.0075

:Length

3mm

:Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

:Maximum Collector Base Voltage

50 V

:Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

:Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

:Maximum DC Collector Current

100 mA

:Maximum Emitter Base Voltage

6 V

:Maximum Operating Frequency

300 MHz

:Maximum Operating Temperature

+150 C

:Maximum Power Dissipation

300 mW

:Minimum DC Current Gain

420

:Minimum Operating Temperature

-65 C

:Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

:Mounting Type

Surface Mount

:Number of Elements per Chip

:Operating Temperature

-65ВC ~ 150ВC (TJ)

:Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

:Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

:Package Type

SOT-23

:Pd - Power Dissipation

300mW

:Pd - рассеивание мощности

300 mW

:Pin Count

:Power - Max

300mW

:REACH Status

REACH Unaffected

:RoHS Status

ROHS3 Compliant

:Supplier Device Package

SOT-23-3

:Transistor Configuration

Single

:Transistor Type

NPN

:Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

:Width

1.4mm

:Вес, г

0.04

:Вид монтажа

SMD/SMT

:Высота

1 mm

:Длина

3.05 mm

:Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

:Количество элементов на ИС

:Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe

420 at 2 mA, 5 V

:Конфигурация

Single

:Конфигурация транзистора

Одинарный

:Максимальная рабочая температура

+150 C

:Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

:Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

:Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

:Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

:Минимальная рабочая температура

65 C

:Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

:Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

:Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

:Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 mV

:Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

:Подкатегория

Transistors

:Полярность транзистора

NPN

:Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

300 MHz

:Размер фабричной упаковки

3000

:Серия

BC847C

:Технология

:Тип корпуса

SOT-23

:Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

:Торговая марка

Diodes Incorporated

:Упаковка / блок

SOT-23-3

:Число контактов

:Ширина

1.4мм

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

Описание большое в несколько строчек

Овердрафт

Описание большое в несколько строчек

Гарантия

Описание большое в несколько строчек

Подбор аналогов

Описание большое в несколько строчек

BC847C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 45В, 100мА, 310мВт, SOT23

С этим товаром часто заказывают

Почему “ключ” стоит заказать у нас?