Консультация по телефону 8 (343) 302-00-16
с 9:00 до 20:00
Без выходных
0
cart
Корзина
Сумма:0
Корзина пуста
Каталог > 15 000 товаров
Найти
Каталог > 15 000 товаров
Сумма:0
Корзина пуста
[]
5 отзывов

BC847ALT1G, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k SOT23

Модель:
BC847ALT1G
Артикул:
8002629950
Наличие:
1000
Производитель:
ON Semiconductor
9 ₽
1 шт
Варианты доставки
  • г. Москва – 4 дня
  • г. Санкт‑Петербург – 5 дней
  • г. Новосибирск – 3 дня
Характеристики
Описание
Доставка
Оплата
Характеристики
Base Product Number:
BC847 -&gt,
Brand:
ON Semiconductor
Current - Collector (Ic) (Max):
100mA
Current - Collector Cutoff (Max):
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
110 @ 2mA, 5V
Dimensions:
3.04 x 2.64 x 1.11mm
ECCN:
EAR99
Frequency - Transition:
100MHz
Height:
1.11mm
HTSUS:
8541.21.0075
Length:
3.04mm
Maximum Collector Base Voltage:
50 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:
0.6 V
Maximum Collector Emitter Voltage:
45 V
Maximum DC Collector Current:
100 mA
Maximum Emitter Base Voltage:
6 V
Maximum Operating Frequency:
100 MHz
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
300 mW
Minimum DC Current Gain:
110
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Surface Mount
Number of Elements per Chip:
1
Operating Temperature:
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package Type:
SOT-23
Pd - рассеивание мощности:
225 mW
Pin Count:
3
Power - Max:
300mW
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Configuration:
Single
Transistor Type:
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
45V
Width:
2.64mm
Вес, г:
0.02
Вид монтажа:
SMD/SMT
Высота:
0.94 mm
Длина:
2.9 mm
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
0.1 A
Минимальная рабочая температура:
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
6 V
Непрерывный коллекторный ток:
0.1 A
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания :
100 MHz
Размер фабричной упаковки:
3000
Серия:
BC847AL
Технология:
Si
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
ON Semiconductor
Упаковка / блок:
SOT-23-3
Ширина:
1.3 mm

• Без галогенов
• Без BFR
• Класс защиты от электростатических разрядов -, gt, модель человеческого тела 4000 В,, gt, модель машины 400 В
• Напряжение коллектора 50 В на базу (VCBO)
• Напряжение эмиттера на базу 6 В (VEBO)
• 556 ° C
• Вт Термическое сопротивление, переход к окружающей среде





  • Доставка товара:
    • Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
    • Вес груза: 1 кг
    • Объем груза: 0.1 м³
  • Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата 
  • Порядок работы:
    • Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
    • Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
    • Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
    • После оплаты товар отправляется на склад.
  • Порядок оплаты:
    • 100% предоплата на счет Поставщика.
    • Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.
Не нашли то, что искали? Оставьте заявку и мы постараемся дать Вам лучшее предложение на рынке на данный товар
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности

Почему “ключ” стоит заказать у нас?

Быстрая доставка
Описание большое в несколько строчек
Овердрафт
Описание большое в несколько строчек
Гарантия
Описание большое в несколько строчек
Подбор аналогов
Описание большое в несколько строчек
Хотите узнать о скидках оптовых покупателям или мы поможем подобрать товар?
Отправляя данные, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности