Base Product Number:
BC847 ->,
Current - Collector (Ic) (Max):
100mA
Current - Collector Cutoff (Max):
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
110 @ 2mA, 5V
Dimensions:
3.04 x 2.64 x 1.11mm
Frequency - Transition:
100MHz
Maximum Collector Base Voltage:
50 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:
0.6 V
Maximum Collector Emitter Voltage:
45 V
Maximum DC Collector Current:
100 mA
Maximum Emitter Base Voltage:
6 V
Maximum Operating Frequency:
100 MHz
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Maximum Power Dissipation:
300 mW
Minimum DC Current Gain:
110
Minimum Operating Temperature:
-55 C
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Surface Mount
Number of Elements per Chip:
1
Operating Temperature:
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pd - рассеивание мощности:
225 mW
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Configuration:
Single
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
45V
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:
0.1 A
Минимальная рабочая температура:
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
6 V
Непрерывный коллекторный ток:
0.1 A
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания :
100 MHz
Размер фабричной упаковки:
3000
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка:
ON Semiconductor
Упаковка / блок:
SOT-23-3