[]

5 отзывов

BC847ALT1G, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k SOT23

Name: BC847ALT1G, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k SOT23
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8002629950
Price: 9.0000 RUB

Модель:

BC847ALT1G

Артикул:

8002629950

Наличие:

1000

Производитель:

ON Semiconductor

9 ₽

1 шт

Варианты доставки

г. Москва – 4 дня
г. Санкт‑Петербург – 5 дней
г. Новосибирск – 3 дня

Характеристики

Описание

Base Product Number

BC847 -&gt,

Brand

ON Semiconductor

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Dimensions

3.04 x 2.64 x 1.11mm

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

Height

1.11mm

HTSUS

8541.21.0075

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V dc

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Maximum Operating Temperature

+150 C

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum DC Current Gain

110

Minimum Operating Temperature

-55 C

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Number of Elements per Chip

Operating Temperature

-55ВC ~ 150ВC (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package Type

SOT-23

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Pin Count

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Configuration

Single

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Width

2.64mm

Вес, г

0.02

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Полярность транзистора

NPN

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

100 MHz

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847AL

Технология

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

• Без галогенов
• Без BFR
• Класс защиты от электростатических разрядов -, gt, модель человеческого тела 4000 В,, gt, модель машины 400 В
• Напряжение коллектора 50 В на базу (VCBO)
• Напряжение эмиттера на базу 6 В (VEBO)
• 556 ° C
• Вт Термическое сопротивление, переход к окружающей среде

Почему стоит заказать у нас?

Быстрая доставка

От 1 дня

Овердрафт

Возможен овердрафт до 100% от суммы заказа.

Гарантия

Cрок гарантии на Товар составляет до 1 года*

Подбор аналогов

Менеджер направляет информацию Покупателю и подбирает аналоги

BC847ALT1G, Транзистор n-p-n UNI 50В 0.1A рулон 3k SOT23

С этим товаром часто заказывают

Почему стоит заказать у нас?