Характеристики:
Склад ЧИП и ДИП:26 октября1:бесплатно2, Магазин ЧИП и ДИП:27 октября1:бесплатно2, Курьер:28 октября1:500руб.3, Постамат PickPoint:27 октября1:131руб.3, ПВЗ Boxberry:27 октября1:207руб.3, ПВЗ СДЭК:28 октября1:193руб.3, ПВЗ Связной:29 октября1:130руб.3, ТК Деловые линии:28 октября1:600руб.3, Почта России:3 ноября1:240руб.3
Base Product Number:
BC817 ->,
Collector-Emitter Breakdown Voltage:
45V
Current - Collector (Ic) (Max):
500mA
Current - Collector Cutoff (Max):
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition:
100MHz
Maximum DC Collector Current:
500mA
Moisture Sensitivity Level (MSL):
1 (Unlimited)
Mounting Type:
Surface Mount
Operating Temperature:
150ВC (TJ)
Package:
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Pd - Power Dissipation:
200mW
Pd - рассеивание мощности:
200 mW
REACH Status:
REACH Unaffected
RoHS Status:
ROHS3 Compliant
Series:
Automotive, AEC-Q101 ->,
Supplier Device Package:
SOT-323
Transistor Configuration:
Одинарный
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
45V
Волгоградский проспект, 9 строение 1:
нет в наличии
г. Щербинка, Симферопольское шоссе, 14А:
нет в наличии
Другие названия товара №:
934021930115
Категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
Количество элементов на ИС:
1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe:
160 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:
160 at 100 mA, 1 V
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Максимальная рабочая частота:
100 МГц
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер):
45 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
50 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.7 V
Максимальное напряжение эмиттер-база:
5 В
Максимальное рассеяние мощности:
200 мВт
Максимальный пост. ток коллектора:
500 мА
Максимальный постоянный ток коллектора:
0.5 A
Минимальная рабочая температура:
-65 C
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току:
40
Напряжение коллектор-база (VCBO):
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):
5 V
Подкатегория:
Transistors
Полярность транзистора:
NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания :
100 MHz
Размер фабричной упаковки:
3000
Размеры:
1 x 2.2 x 1.35мм
Тип монтажа:
Поверхностный монтаж
Тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
ул. Беговая, 2:
нет в наличии
ул. Гиляровского, 39:
нет в наличии
Упаковка / блок:
SOT-323-3