Характеристики
:Channel Mode
Enhancement
:EU RoHS
Compliant with Exemption
:Maximum Continuous Drain Current (A)
2.5
:Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3500@10V
:Maximum Drain Source Voltage (V)
600
:Maximum Gate Source Voltage (V)
30
:Maximum Power Dissipation (mW)
56800
:Number of Elements per Chip
1
:Product Category
Power MOSFET
:Typical Fall Time (ns)
16
:Typical Gate Charge @ 10V (nC)
9.9
:Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
9.9@10V
:Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
304@25V
:Typical Rise Time (ns)
17
:Typical Turn-Off Delay Time (ns)
24
:Typical Turn-On Delay Time (ns)
17
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.