Характеристики
Channel Mode:
Enhancement
EU RoHS:
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A):
2.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm):
3500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V):
600
Maximum Gate Source Voltage (V):
30
Maximum Power Dissipation (mW):
56800
Number of Elements per Chip:
1
Product Category:
Power MOSFET
Typical Fall Time (ns):
16
Typical Gate Charge @ 10V (nC):
9.9
Typical Gate Charge @ Vgs (nC):
9.9@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF):
304@25V
Typical Rise Time (ns):
17
Typical Turn-Off Delay Time (ns):
24
Typical Turn-On Delay Time (ns):
17
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.