:Current Transfer Ratio Test Current (mA)
10
:Maximum Collector Current (mA)
100
:Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)
500
:Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
:Maximum Current Transfer Ratio (%)
50(Typ)
:Maximum Forward Current (mA)
60
:Maximum Forward Voltage
1.5V
:Maximum Forward Voltage (V)
1.5
:Maximum Input Current
60 мА
:Maximum Operating Temperature (C)
100
:Maximum Power Dissipation (mW)
150
:Maximum Reverse Voltage (V)
5
:Minimum Current Transfer Ratio
20 %
:Minimum Current Transfer Ratio (%)
20
:Minimum Isolation Voltage (Vrms)
5000
:Minimum Operating Temperature (C)
-55
:Number of Channels per Chip
1
:Output Device
Transistor With Base
:Package Height
3.81(Max)
:Standard Package Name
DIP
:Typical Fall Time (us)
2
:Typical Forward Voltage (V)
1.3
:Typical Rise Time (us)
2
:Выходное устройство
Фотоэлектрический
:Выходной каскад
бипол.транз.
:Диапазон рабочих температур, оС
-55…100
:Коэффициент передачи тока CTR,%, макс.
70
:Максимальное входное обратное напряжение Uвх.обр.макс.,В
3
:Максимальное напряжение изоляции,В
7500
:Максимальное прямое напряжение
1.5V
:Максимальный входной ток Iвх.макс.,мА
60
:Максимальный выходной ток Iвых.макс.мА
7
:Максимальный коэффициент передачи по току
50%
:Максимальный ток на входе
60 mA
:Минимальный коэффициент передачи по току
20 %
:Напряжение изоляции
5000 V ac
:Постоянное прямое входное напряжение Uвх.,В
1.15
:при входном токе Iвх.,мА
10
:Тип входного тока
Пост. ток
:Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
:Типичное время затухания
2мкс
:Типичное время нарастания
2мкс