Характеристики
Dimensions:
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Drain Gate On-Capacitance:
10пФ
Id - непрерывный ток утечки:
50 mA
Idss Drain-Source Cut-off Current:
14.5 → 24mA
Maximum Continuous Drain Current (mA):
50
Maximum Drain Gate Voltage:
-15V
Maximum Drain Gate Voltage (V):
-15
Maximum Drain Source Voltage:
15 V
Maximum Drain Source Voltage (V):
15
Maximum Operating Temperature:
+150 C
Mounting Type:
Поверхностный монтаж
Pd - рассеивание мощности:
200 mW
Source Gate On-Capacitance:
3pF
Transistor Configuration:
Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
15 V
Полярность транзистора:
N-Channel
Размер фабричной упаковки:
3000
Ток стока при Vgs=0:
50 mA
Торговая марка:
ON Semiconductor
Semiconductors N-канальный JFET, ON Semiconductor
- Доставка товара:
- Габариты груза: 0.1 × 0.1 × 0.1 м
- Вес груза: 1 кг
- Объем груза: 0.1 м³
- Цены и сроки доставки по городам размещены на странице Доставка и оплата
- Порядок работы:
- Сделайте запрос на почту или оформите заказ на сайте.
- Менеджер сообщит актуальные цены и сроки поставки.
- Выставляется счет (действителен 2 рабочих дня).
- После оплаты товар отправляется на склад.
- Порядок оплаты:
- 100% предоплата на счет Поставщика.
- Овердрафт до 100% от суммы заказа возможен по договору.