Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Drain Gate On-Capacitance
10пФ
Id - непрерывный ток утечки
50 mA
Idss Drain-Source Cut-off Current
14.5 → 24mA
Maximum Continuous Drain Current (mA)
50
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Maximum Drain Gate Voltage (V)
-15
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Source Voltage (V)
15
Maximum Operating Temperature
+150 C
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Source Gate On-Capacitance
3pF
Transistor Configuration
Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток
15 V
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
3000
Ток стока при Vgs=0
50 mA
Торговая марка
ON Semiconductor
Semiconductors N-канальный JFET, ON Semiconductor